삼성전자와 ASML, 2028년 DRAM 양산을 목표로 High NA EUV 협력 확대

삼성전자와 ASML이 High NA EUV 리소그래피와 차세대 반도체 제조 기술에 대한 협력을 확대한다. 삼성전자는 2028년부터 미래 DRAM 대량 생산에 High NA EUV를 업계 최초로 도입할 계획이라고 밝혔다.

상단 이미지: Samsung Semiconductor Global Newsroom 원문 자료

삼성전자와 ASML은 차세대 반도체 제조를 위한 전략적 협력을 확대한다고 발표했다. 양사는 AI 시대에 요구되는 반도체 성능과 효율 향상에 대응하기 위해 High NA EUV 리소그래피를 비롯한 제조 기술의 개발과 적용을 가속할 계획이다.

삼성전자는 ASML의 High NA EUV 장비를 2028년부터 미래 DRAM 대량 생산에 도입할 계획이다. 회사는 이를 업계 최초의 미래 DRAM 양산 적용이라고 설명했으며, High NA EUV의 향상된 해상도가 DRAM 미세화 로드맵을 확장하고 공정 단순화와 효율 개선에 기여할 것으로 기대한다고 밝혔다.

이번 협력에는 12인치 포토마스크 기술로의 전환도 포함된다. 삼성전자는 메모리와 파운드리 제조 경험을 바탕으로 업계 파트너들과 필요한 마스크 기술과 지원 인프라 개발에 협력할 예정이다.

반도체 업계는 수십 년 동안 6인치 포토마스크 형식을 사용해 왔으며, 양사는 High NA EUV에 맞춘 12인치 포토마스크가 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮추며 스티칭 제약을 줄일 수 있다고 설명했다. 삼성전자와 ASML은 앞으로도 첨단 메모리와 새로운 제조 방식 등 장기 협력 분야를 계속 모색할 계획이다.

핵심 내용

• 삼성전자와 ASML이 High NA EUV 및 차세대 반도체 제조 기술 협력을 확대한다.
• 삼성전자는 2028년 미래 DRAM 대량 생산에 High NA EUV를 도입할 계획이다.
• 삼성전자는 6인치에서 12인치로 이어지는 차세대 포토마스크 기술 개발에 업계 파트너들과 참여한다.
• 12인치 포토마스크는 생산성 향상, 칩 제조 비용 절감, 스티칭 제약 완화에 기여할 것으로 양사가 설명했다.

확인할 점

• DRAM 양산 도입 시점은 삼성전자가 밝힌 계획이며, 생산성·비용·공정 효율 개선 효과는 양사가 제시한 기대치다.
• High NA EUV 적용을 위해서는 차세대 포토마스크 기술과 지원 인프라 개발이 함께 진행돼야 한다.

확인한 자료

• Samsung Semiconductor Global Newsroom · 제조사 공식 발표 자료 · 원문 보기

이 글은 원문을 그대로 번역한 것이 아니라, 제조사의 공식 발표 자료를 바탕으로 sensta.me 독자를 위해 핵심 내용을 한국어로 요약·편집했습니다.