삼성전자·ASML, High NA EUV와 12인치 포토마스크 협력 확대

삼성전자와 ASML이 High NA EUV 노광과 차세대 12인치 포토마스크 기술 개발을 중심으로 전략적 협력을 강화한다. 삼성전자는 2028년까지 업계 최초로 High NA EUV를 미래 DRAM 대량 생산에 도입할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자와 ASML은 AI 시대의 반도체 성능·전력 효율 요구에 대응하기 위해 High NA EUV 노광과 첨단 반도체 제조 기술 협력을 확대한다고 발표했다. 양사는 관련 기술의 개발과 도입을 앞당겨 메모리와 로직 반도체 제조의 차세대 공정을 지원한다는 방침이다.

삼성전자는 차세대 12인치 포토마스크 기술을 발전시키기 위한 업계 협력에도 참여한다. 반도체 업계가 수십 년간 사용해 온 6인치 포토마스크에서 더 큰 규격으로 전환하면, High NA EUV를 활용하는 제조 라인에서 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮추며 스티칭 제약을 줄일 수 있을 것으로 양사는 설명했다.

삼성전자는 메모리와 파운드리 제조 역량, 첨단 EUV 노광 경험을 바탕으로 12인치 포토마스크 전환에 필요한 마스크 기술과 지원 인프라 개발에 협력할 예정이다. 또한 2028년까지 ASML의 High NA EUV를 미래 DRAM 대량 생산에 도입할 계획이며, 향상된 해상도가 DRAM 미세화와 공정 단순화, 효율 개선을 뒷받침할 것으로 전망했다.

이번 협력은 포토마스크 기술뿐 아니라 첨단 메모리와 새로운 제조 방식까지 협력 범위를 넓히는 내용을 담고 있다. 삼성전자와 ASML은 장기적인 파트너십을 기반으로 차세대 반도체 제조 기술과 AI용 반도체 혁신을 지원할 기회를 계속 모색할 계획이다.

핵심 내용

• 삼성전자와 ASML이 High NA EUV 및 첨단 반도체 제조 기술 협력을 확대한다.
• 삼성전자는 차세대 12인치 포토마스크 기술 개발을 위한 업계 협력에 참여한다.
• 12인치 포토마스크 전환은 생산성 향상, 칩 제조 비용 절감, 스티칭 제약 완화에 기여할 것으로 전망됐다.
• 삼성전자는 2028년까지 High NA EUV를 미래 DRAM 대량 생산에 도입할 계획이다.

확인할 점

• 2028년 DRAM 대량 생산 도입은 삼성전자가 밝힌 계획이다.
• 생산성 향상과 비용 절감, 공정 효율 개선 효과는 양사가 제시한 전망이다.

확인한 자료

• Samsung Global Newsroom · 제조사 공식 발표 자료 · 원문 보기

이 글은 원문을 그대로 번역한 것이 아니라, 제조사의 공식 발표 자료를 바탕으로 sensta.me 독자를 위해 핵심 내용을 한국어로 요약·편집했습니다.